隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展, 各種電子元器件日趨輕型化,微型化, 高性能化, 在運(yùn)行的過程中不可避免的會產(chǎn)生和累積大量的熱量, 如果熱量不能被及時導(dǎo)出, 過高的溫度會降低芯片的工作穩(wěn)定性, 增加出錯率, 尤其是電子模塊與外界環(huán)境之間的過大的溫度差會形成熱應(yīng)力, 直接影響到電子芯片的電性能、 工作頻率、 機(jī)械強(qiáng)度以及可靠性。所以, 必須依靠性能優(yōu)異的散熱材料將器件所生成的熱量快速的散發(fā)出去。傳統(tǒng)的散熱材料主要依靠于金屬, 例如銀、 銅、 鋁等, 但是金屬材料的一些固有性質(zhì), 例如密度大、 耐腐蝕性差等已經(jīng)嚴(yán)重的制約了其在散熱材料方面的應(yīng)用。

 

　　1、高導(dǎo)熱石墨烯薄膜可行性分析

　　炭材料由于其質(zhì)輕、 耐腐蝕、 良好的機(jī)械性能、 優(yōu)良的熱導(dǎo)率、 較小的熱膨脹系數(shù)等優(yōu)點(diǎn), 被認(rèn)為是有極大的發(fā)展空間的高導(dǎo)熱材料。Zhang 等[通過將 CVD 法制備的碳納米管采用靜電紡絲法得到取向較高并且密度較高的碳納米管薄膜, 其熱導(dǎo)率達(dá)到 766 W / mK。

　　而隨著石墨烯的發(fā)現(xiàn), 越來越多的材料學(xué)家將注意力集中在這一充滿潛力的新興材料上。石墨烯是由單層碳原子以 sp2雜化形成的六元環(huán)平面結(jié)構(gòu), 是一種理想化的二維平面材料。由于其特殊的二維晶體結(jié)構(gòu), 有著很好的機(jī)械強(qiáng)度、 電子遷移率、 高比表面積等特點(diǎn)。同時也有著很高的理論熱導(dǎo)率, 超過 6600 W/ mK, 是已知熱導(dǎo)率最高的材料。而且, Balandin 等利用單層石墨烯的 G 峰的溫度依賴性和拉曼散射的激光激發(fā)頻率的關(guān)系計(jì)算出懸浮狀態(tài)下單層石墨烯的熱導(dǎo)率高達(dá)5300W/ mK, 遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于石墨、 碳納米管等其他碳材料的熱導(dǎo)率。由于石墨烯在片層平面內(nèi)是各項(xiàng)同性的, 在平面內(nèi)的熱傳導(dǎo)不會存在方向性。因此將石墨烯用于導(dǎo)熱領(lǐng)域, 開發(fā)新型的導(dǎo)熱薄膜是非常有必要, 也是最有可能實(shí)現(xiàn)的。

　　氧化石墨烯由于在水中或者其它極性溶劑中具有良好的分散性, 所以被認(rèn)為是良好的石墨烯前驅(qū)體, 而且 Hummers 法制備的氧化石墨烯制備工藝成熟、 產(chǎn)量大, 已經(jīng)形成相應(yīng)的工業(yè)化生產(chǎn)。所以在石墨烯導(dǎo)熱膜的尺度上, 還原氧化石墨烯薄膜成為近幾年主要的技術(shù)路線。

 

　　2、抽濾法制備石墨烯薄膜

　　抽濾法由于其制備條件限制較少, 試驗(yàn)方案成熟, 而且在制備碳納米管薄膜中應(yīng)用較為廣泛。所以在石墨烯薄膜的性能研究上, 抽濾法首先得到應(yīng)用。而且, 由于抽濾法是通過濾瓶內(nèi)外形成氣壓差的方式來排除溶劑、 形成薄膜, 而 Hummers 法制備的氧化石墨烯成片層狀, 很容易在抽力的作用下緊密堆疊在一起, 所以制備的氧化石墨烯薄膜致密, 同時片層取向度較高, 在面內(nèi)熱導(dǎo)率的測量上有著不俗的表現(xiàn)。

　　Song 等采用抽濾法, 將氧化石墨烯分散液抽濾成膜, 在氮?dú)鈿夥障律郎氐?400 ℃ 保溫 0. 5 h, 再分別升溫到 800, 900, 1000, 1100, 1200 ℃ , 再采用激光閃射儀測得石墨烯薄膜的熱擴(kuò)散系數(shù), 通過

　　K =αCpρ算得導(dǎo)熱膜得熱導(dǎo)率最高為1043. 5 W / mK。Kumar 等將氧化石墨烯片層通過離心分離出大片層和小片層, 分別抽濾成膜, 成膜后用 HI 進(jìn)行還原, 有效的避免了因高溫還原氧化石墨烯多帶來的環(huán)境問題、 能耗問題。最后通過激光閃射儀測算得大片層石墨烯薄膜的熱導(dǎo)率最高達(dá)到 1390 W / mK。

　　抽濾法由于操作成熟簡單, 成為制作石墨烯薄膜得主要方法, 但是由于其耗時長( 通常制備 10 μm 的氧化石墨烯薄膜需花費(fèi)兩天以上), 石墨烯薄膜得尺寸受制于濾膜尺寸等缺點(diǎn),越來越多得材料學(xué)家采用新的方法制備大尺寸氧化石墨烯薄膜, 再經(jīng)過相應(yīng)還原處理, 制備到高導(dǎo)熱石墨烯薄膜。

 

　　3、其他方法制備氧化石墨烯薄膜

　　通過研究發(fā)現(xiàn), 氧化石墨烯分散液在較高溫度條件下進(jìn)行蒸發(fā)作用, 氧化石墨烯片層會在氣- 液界面成膜, 所以 Shen等將氧化石墨烯分散液置入聚四氟乙烯表面皿中, 在80 ℃的條件下進(jìn)行表面蒸發(fā)自組裝成膜, 制備了大尺寸的薄膜, 經(jīng)過石墨化后得到墨烯導(dǎo)熱膜, 石墨化后薄膜的厚度只有2. 7 μm, 其熱導(dǎo)率在 1100 W / mK。Huang 等將銅箔置于石墨烯分散液中, 進(jìn)行蒸發(fā)自組裝成膜, 再將銅箔和氧化石墨烯薄膜一起進(jìn)行熱壓還原, 再將石墨烯薄膜從銅箔中分離下來, 制得的石墨烯薄膜的熱導(dǎo)率在 1219 W / mK。

　　與此同時, 其他得成膜方法也在研究人員得開發(fā)中不斷得到驗(yàn)證。

　　浙江大學(xué)得 Liu 等采用濕法紡絲得方法, 將氧化石墨烯在氣流得作用下制備氧化石墨烯帶, 在形成得過程中對石墨烯片層得取向進(jìn)行控制, 能夠獲得連續(xù)的石墨烯薄膜, 其石墨烯橫截面內(nèi)片層取向統(tǒng)一度和抽濾法得到的石墨烯膜相似, 具有極大的工業(yè)化應(yīng)用潛力。再經(jīng)過化學(xué)還原得到石墨烯薄膜的熱導(dǎo)率在 810 W / mK。

　　Xin 等利用靜電噴涂沉積的方法, 將氧化石墨烯噴涂在鋁箔基底上, 利用氧化石墨烯分散液和鋁箔本身得親水性不同, 將氧化石墨烯薄膜連同鋁箔放入水中, 經(jīng)過基底脫除、 制成厚度、 尺度可控的均勻薄膜, 碳化還原后, 石墨烯薄膜的熱導(dǎo)率達(dá)到 1238 W / mK。

 

　　4、氧化石墨烯薄膜存在的相應(yīng)問題

　　雖然單層的石墨烯完美晶體有著非常好的導(dǎo)熱性能, 但是要到應(yīng)用階段就必須對石墨烯進(jìn)行從納米片層到微米薄膜的組裝。要想得到高導(dǎo)熱率的石墨烯薄膜必須解決兩個主要問題:

　　(1)石墨烯片層組裝的取向度, 取向度極大的影響石墨烯薄膜二維平面方向的熱導(dǎo)率; (2) 石墨烯片層間隙: 石墨烯片層組裝時會產(chǎn)生較大的層間空隙, 空隙不僅會形成熱阻也會會影響石墨烯薄膜的密度, 從而降低石墨烯導(dǎo)熱膜的整體傳熱效率。很多研發(fā)團(tuán)隊(duì)目前著力于解決石墨烯組裝的取向度問題, 包括使用靜電噴涂、 抽濾等制作薄膜的工藝來提高片層的取向度。這些制膜工藝上的改進(jìn)確實(shí)能很大程度地提高石墨烯薄膜的面內(nèi)熱導(dǎo)率, 但是這些方法沒有從根本上解決解決石墨烯薄膜在組裝時片層間的空隙問題。

　　石墨烯薄膜的層間空隙較大, 對于其熱導(dǎo)率的提高有很大的阻礙作用, 如果能夠?qū)@些間隙能夠有效填充, 那么就會極大的提高薄膜的熱導(dǎo)率。Hsieh 等先將氧化石墨烯在 400 ℃加熱 1 h 的條件下進(jìn)行還原, 再將通過 CVD 法制備的碳納米管和還原氧化石墨烯加入高速攪拌器中, 進(jìn)行機(jī)械混合, 再經(jīng)過壓縮處理所制成的散熱片, 熱導(dǎo)率在能夠高達(dá) 1900 W / mK, 已經(jīng)極大的接近了石墨薄膜的理論熱導(dǎo)率(2000 W / mK)。這說明, 在以后的研究中, 如何將氧化石墨烯片層間和片層內(nèi)的空隙進(jìn)行有效填充, 才是提高石墨烯薄膜熱導(dǎo)率的有效途徑。